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    本發明係關於一種聚合物，其包含單元α、β、γ及δ，其中：單元α係以30莫耳%至60莫耳%存在且係視情況經取代之伸芳基；單元β係以1莫耳%至30莫耳%存在且係包含視情況經取代之茀之單元；單元γ係以1莫耳%至40莫耳%存在且包含經芳基取代之氮或視情況經取代之三□；單元δ係以0.5莫耳%至15莫耳%存在且包含銥錯合物；及若α、β、γ及δ之和小於100莫耳%，視情況最多20莫耳%之其他單元。
    公开号:TW201313774A
    申请号:TW101128309
    申请日:2012-08-06
    公开日:2013-04-01
    发明作者:馬汀Ｊ 亨弗里；托許登 布納蓋
    申请人:劍橋顯示科技有限公司；住友化學股份有限公司；
    IPC主号:H01L51-00
    专利说明:
    發光聚合物及裝置
    本發明係關於發光聚合物及裝置。更具體而言，本發明係關於發射綠光之聚合物及含有該等聚合物之裝置，尤其顯示器及白色發光裝置。
    已知有機發光二極體(OLED)裝置可形成顯示器且亦可經組態以發射白光，且因此尤其可用於提供電腦監視器、行動電話顯示器、電視及用於家庭、樓宇、辦公室等之便宜且有效之照明。
    例如，為提供白光OLED，一種可能之裝置組態係在裝置內以適宜方式提供紅色、綠色及藍色發光物質，以確保總發射光適用於(例如)一般照明目的。在單一裝置內(在單一層內或在多層裝置中)提供不同紅色、綠色及藍色發射體可造成性能問題及/或使裝置製造變複雜。舉例而言，可將不同顏色之發射體摻和在一起，但此在某些情形下可引起發射強度降低。
    在電致發光裝置(例如白色發光裝置)製造中，可將多個電致發光層彼此堆疊，其中每一層包含發射光譜不同於其他層之電致發光材料。例如，多層裝置可包含紅色發射層、綠色發射層及藍色發射層。然而，該多層架構可使裝置效率降低及/或發生猝滅。舉例而言，若附近自單重態發射之螢光發射體亦具有能量低於磷光發射體之三重態能級之三重態，則自該磷光發射體之三重態之發射可被猝滅。
    為提供OLED顯示器，一種可能之組態係具有包含紅色、綠色及藍色發光物質之可單獨定址之像素。在該等顯示器中，效率(例如以Cd/A來量測)、量子效率、驅動電壓及壽命係重要操作參數。
    美國專利申請案第2008/0100199A1號(「美國申請案」)揭示包含共軛聚合物及樹枝狀聚合物之聚合物材料，其可容許製造(例如)白色發光裝置或綠色顯示裝置，且其益處在於在該聚合物用於此一裝置中之發光層時電壓驅動要求較低。此美國申請案揭示眾多種可用單體且該申請案之實例指明，樹枝狀聚合物可以物理方式混合至聚合物中，或可使其發生化學反應以使該聚合物可含有(例如在其末端)該樹枝狀聚合物。
    儘管該美國申請案中闡述之發明代表可使技術進步之有用材料，但人們相信仍可進一步改良。因此，例如，期望獲得用於顯示器或白色發光裝置中之綠色發射材料，其具有長壽命及高效率同時使用相對較低含量之貴金屬(例如銥)。
    已發現，在顯示器或白色發光裝置中納入綠色發射銥錯合物(例如具有銥核心之綠色磷光樹枝狀聚合物，其中該銥錯合物懸垂至某些聚合物之主鏈)可延長壽命，改良電洞傳輸及/或降低發射性金屬之需求(例如，與將發射性樹枝狀聚合物納入聚合物主鏈中之材料相比；或與將樹枝狀聚合物與聚合物物理混合之系統相比)。使用該等聚合物可降低對銥之需求(例如，與將樹枝狀聚合物與聚合物物理混合之類似系統相比)。
    因此，本發明提供一種聚合物，其可發射綠光且適於與其他發射體一起用於顯示器或白色發光裝置中，該聚合物包含單元α、β、γ及δ，其中：單元α係以30莫耳%至60莫耳%存在且係視情況經取代之伸芳基；單元β係以1莫耳%至30莫耳%存在且係包含視情況經取代之茀之單元；單元γ係以1莫耳%至40莫耳%存在且包含經芳基取代之氮或視情況經取代之三；單元δ係以0.5莫耳%至15莫耳%存在且包含銥錯合物；及視情況最多20莫耳%、視情況最多10 mol%之其他單元，其中α、β、γ及δ之和小於100%。
    單元α、單元β、單元γ及單元δ中之每一者可係如上文所定義之單一部分或各部分之混合物。
    單元γ可具有附接至氮之兩個伸芳基及芳基。
    現將參照圖式更詳細地闡述本發明。
    因此，本發明提供一種聚合物，其可發射綠光且適於單獨或與其他發射體一起用於顯示裝置或白色發光裝置中，該聚合物包含單元α、β、γ及δ，其中：單元α係以30莫耳%至60莫耳%存在且係視情況經取代之伸芳基；單元β係以1莫耳%至30莫耳%存在且係包含視情況經取代之茀之單元；單元γ係以1莫耳%至40莫耳%存在且包含經芳基取代之氮或視情況經取代之三；單元δ係以0.5莫耳%至15莫耳%存在且包含銥錯合物；及視情況最多20莫耳%之其他單元，其中α、β、γ及δ之和小於100%。
    單元α、單元β、單元γ及單元δ中之每一者可係如上文所定義之單一部分或各部分之混合物。
    單元α可係視情況經取代之伸苯基、伸聯苯基或伸萘基。較佳地，α係視情況經取代之伸苯基，尤其視情況經取代之1,4-伸苯基，例如2,5-二取代-1,4-伸苯基。適宜取代基係化學惰性的且可包括烷基、烯基、烷氧基、烯氧基、芳基、芳氧基、烷硫基、烯硫基、丙烯醯基、芳基烷基、芳基烷氧基或諸如此類，其包含最多14個碳原子且可經氟化或多氟化。取代基可(例如)經選擇以改良聚合物之溶液可處理性或其他性質。
    烷基或烯基或另一基團可係直鏈或具支鏈或環狀。該等基團通常含有3至12個碳原子。因此，特定烷基包括甲基、乙基、丙基(正丙基及異丙基)、丁基(正丁基、異丁基、第二丁基及第三丁基)及直鏈及類似具支鏈戊基、己基、辛基、壬基、癸基、十一烷基及十二烷基，例如己基、2-乙基己基、壬基及3,7-二甲基辛基。
    本發明包括之尤其適宜之伸芳基單元係2,5-二烷基-1,4-二苯基，其中該烷基具有6至12個碳原子。2,5-二己基-1,4-二伸苯基係有利單元α。
    單元α可包含(例如)1個或2個或更多個該等部分，但適宜地包含一個該部分。
    單元α係以30莫耳%至60莫耳%存在，更一般而言35莫耳%至55莫耳%，例如35±5莫耳%、40±5莫耳%、50±5莫耳%。適宜地，單元α係以50±5莫耳%存在，例如45莫耳%、46莫耳%、47莫耳%、48莫耳%、49莫耳%、50莫耳%、51莫耳%、52莫耳%、53莫耳%、54莫耳%或55莫耳%，其中50莫耳%係有利之量。
    單元β可係式(1)之視情況經取代之茀： 其中R1及R2獨立地為具有最多20個碳原子之烷基、烷芳基、芳烷基、芳基、雜芳基或經取代芳烷基或芳基，其中芳烷基或芳基上之取代基係一個低碳烷基或兩個視情況連接以形成4至6個碳原子之環之低碳烷基；且其中q係0或1且Q經由式(2)基團之氮原子附接至茀： 其中Ar1係視情況經一個或兩個低碳烷基或低碳烷氧基取代之伸苯基，且Ar2係視情況經一個或兩個低碳烷基或低碳烷氧基取代之苯基。
    術語「低碳」意指基團含有1至8個碳原子，例如甲基。
    在某些適宜單元β中，R1與R2相同。
    R1及R2之適宜值包括最多20個碳原子、例如6至12個碳原子之烷基，例如辛基。其他烷基可如上文在單元α之說明中所述。R1及R2之其他適宜值包括最多20個碳原子、例如3至8個碳原子之烯基，例如戊-5-烯基。R1及R2之其他適宜值係視情況經一個或兩個低碳烷基或環丁基環取代之苯基，例如3,4-環丁基苯基或2-己基苯基或4-己基苯基。
    Ar1之適宜值係視情況經低碳烷基取代之伸苯基，例如4-低碳烷基苯基，例如1,4-伸苯基。
    Ar2之適宜值係經低碳烷基取代之苯基，例如4-甲基苯基。
    適宜地，q係0。適宜地，q係1。
    單元β可包含1個、2個或更多個部分。適宜地，其可包含q為0之組份及q為1之第二組份。
    單元β係以聚合物之1莫耳%至35莫耳%存在，例如10莫耳%至25莫耳%，例如聚合物之約5莫耳%至30莫耳%，例如聚合物之約10莫耳%至20莫耳%。
    單獨或存於混合物中之適宜單元β包括：


    單元β係以1莫耳%至30莫耳%存於聚合物中，例如10莫耳%至28莫耳%，其中20莫耳%±5莫耳%通常尤其適宜，例如15莫耳%、16莫耳%、17莫耳%、18莫耳%、19莫耳%、20莫耳%、21莫耳%、22莫耳%、23莫耳%、24莫耳%或25莫耳%。
    單元γ係含有載於含氮核心(其可係氮原子或三基團)上之兩個伸芳基及一個芳基之化合物。該單元經由附接至兩個不同伸芳基而連接至聚合物。芳基適宜地係視情況經一個1至20個碳原子之烷基或經兩個視情況連接以形成4至6個碳原子之稠合碳環之1至10個碳原子之烷基取代之苯基。更適宜地，苯基視情況經1至10個碳原子之烷基(例如丁基，或4至6個碳原子之稠合碳環，或己基，例如2-丁基或正己基或4個碳原子之稠合碳環基團)取代。伸芳基最適宜地係伸苯基，例如1,4-伸苯基。
    因此，適宜單元γ包括下式之基團：
    其中化合物(11)中之R係取代基、較佳烷基、更佳C1-C12烷基。
    單元γ可係如上文所定義之單一部分或兩個或更多個部分。因此，例如，單元γ可包含單一三取代三或單一三芳基胺、一個以上該等類型中之每一者或(可係有利的)一個三取代三及一個三芳基胺。上文剛剛顯示之特定三取代三在當其係唯一單元γ時或在當其係與一個上文剛剛顯示之特定三芳基胺組合使用時為尤其適宜之單元γ。
    單元γ可以1莫耳%至40莫耳%存在，例如10莫耳%至30莫耳%，其中20莫耳%±5莫耳%通常尤其適宜，例如15莫耳%、16莫耳%、17莫耳%、18莫耳%、19莫耳%、20莫耳%、21莫耳%、22莫耳%、23莫耳%、24莫耳%或25莫耳%。
    單元δ係或含有銥錯合物，例如含銥樹枝狀聚合物，其可能能發射綠光。在樹枝狀聚合物之情形下，樹枝狀聚合物可在同一樹枝狀基團(dendron)之兩個點附接至聚合物鏈。
    本文所用術語「樹枝狀聚合物」意指核心(例如金屬錯合物，例如銥核心)，其附接有至少一個具有至少一個分支點之配體，例如在本文中稱作「樹枝狀基團」之配體。
    實例性樹枝狀聚合物δ具有銥核心及三個配體，其中至少一個係樹枝狀基團。實例性銥錯合物具有與銥結合之含有配體部分或其衍生物之苯基吡啶，例如Ir(ppy)3。
    在該等實例性樹枝狀聚合物δ中，吡啶基或更適宜地苯基殘基將經具有苯基之樹枝狀基團取代，從而形成分支點，該分支點繼而可經兩個苯基取代，每一苯基視情況經基團(有時稱作表面基團)取代，該基團可係具有最多20個碳原子之烷基或烷氧基，更通常係具有1至10個碳原子之烷基，例如具有2至6個碳原子之烷基，例如第三丁基。較佳樹枝狀聚合分支基團係3,5-二苯基苯，其中中心苯分支點基團直接結合至配體之螯合基團，且分支3-及5-苯基可經一或多個取代基取代。
    適宜特定銥錯合物包括彼等具有下式者：



    其中X或與波浪線毗鄰之單鍵表示附接至聚合物主鏈之位點，且R表示可選表面基團，其可相同或不同但其有利地係第三丁基。
    單元δ可包含1個或2個不同銥錯合物，但更適宜地包含1個該銥錯合物。
    單元δ可以0.5莫耳%至15莫耳%存在，但有利地以2莫耳%至6莫耳%存在，例如聚合物之約3莫耳%、4莫耳%或5莫耳%。
    其他可以最多20莫耳%存在之單元係與包含單元α、β、γ及δ之聚合物相容之任何單元。適宜單元包括彼等在上文所提及美國專利申請案(US 2008/0100199A1)中所述者，該案係全文以引用方式併入本文中。
    若採用該等其他單元，則其一般係非共軛單元且替代一部分單元α。
    通常較佳不採用該等其他單元，以使得聚合物基本上由單元α、β、γ及δ組成或由其組成。
    「紅色電致發光材料」或「紅色發光聚合物」或其等效術語意指有機材料，其藉由電致發光發射波長在580-680 nm範圍內、較佳590-660 nm、更佳610-640 nm且最佳在590-620 nm附近具有發射峰之輻射。
    「綠色電致發光材料」或「綠色發光聚合物」或其等效術語意指有機材料，其藉由電致發光發射波長在500-580 nm範圍內、較佳510-550 nm之輻射。
    「藍色電致發光材料」或「藍色發光聚合物」或其等效術語意指有機材料，其藉由電致發光發射波長在380-500 nm範圍內、更佳430-500 nm之輻射。適宜地，發射體將共價結合至聚合物中或與聚合物混合。
    本文所述「白光」可具有與黑體在2500-9000 K範圍內之溫度下所發射者相等之CIE x座標及在黑體所發射該光之CIE y座標之0.05或0.025內之CIE y座標，CIE x座標視情況等於黑體在2700-4500 K範圍內之溫度下所發射者。
    本發明聚合物可用於顯示裝置、白色發射裝置及諸如此類中。該等裝置視情況亦包含其他顏色之發射體，例如藍色及紅色發射體。
    本發明之實例性簡單裝置展示於圖1中。
    參照圖1，本發明之多層電致發光裝置10之架構包含透明玻璃或塑膠基板11、(例如)氧化銦錫(ITO)之陽極12及陰極18。在陽極12與陰極18之間提供三個發光聚合物(LEP)層13及15及17以及兩個可選障壁層14及16。提供可選障壁14以分離LEP層13與15且提供可選障壁層16以分離LEP層15與17。裝置10可包括其他可選層(未顯示)，例如位於陽極層12與第一LEP層13之間之電洞注入層(HIL)或位於陽極與發光層之間(或HIL(若存在)與發光層之間)之電洞傳輸間層(IL)。
    第一LEP層13包含第一電致發光聚合物以發射綠色磷光。此聚合物將係本發明之聚合物。
    第二LEP層15包含第二電致發光聚合物或主體與發射體之摻合物以用作紅色螢光或磷光發射體。
    第三LEP層17包含第三電致發光聚合物或主體與發射體之摻合物以用作藍色螢光或磷光發射體。
    可選障壁層14及16可具有高於第一LEP層13之綠色磷光發射體之三重態能級之三重態能級。此高三重態能量防止三重態能態遷移穿過障壁層，且因此獲得較高發射效率。
    在實際裝置中，至少一個電極係至少半透明的，以使得可吸收(在光響應裝置情形下)或發射(在OLED情形下)光。倘若陽極透明(此係較佳的)，則其通常包含ITO。將其沈積於(例如)玻璃或塑膠透明基板上。
    其他可選層可位於陽極12與陰極16之間，例如電荷傳輸層、電荷注入層或電荷阻擋層。
    具體而言，可期望提供位於陽極12與電致發光層13之間之由經摻雜有機材料形成之導電電洞注入層，以幫助將電洞自陽極注入半導電聚合物層中。經摻雜有機電洞注入材料之實例包括聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)、如US 5723873及US 5798170中所揭示之聚苯胺及聚(噻吩并噻吩)。實例性酸包括如EP 0901176及EP 0947123中所揭示之摻雜有聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)之PEDT、聚丙烯酸或氟化磺酸(例如Nafion ®)。
    若存在，位於陽極12與電致發光層13之間之電洞傳輸層較佳具有低於或等於5.5 eV、更佳約4.8-5.5 eV之HOMO能級。本文所述HOMO及LUMO能級可藉由循環伏安法來量測。
    若存在，則位於電致發光層15與陰極18之間之電子傳輸層較佳具有約3-3.5 eV之LUMO能級。
    電致發光層13、15及17可僅由電致發光材料組成或可包含與一或多種其他材料組合之電致發光材料。具體而言，電致發光材料可與電洞及/或電子傳輸材料摻和在一起，如(例如)WO 99/48160中所揭示；或在層15及17中可在半導電主體矩陣中包含發光摻雜劑。層15及/或17之電致發光材料可共價結合至電荷傳輸材料及/或主體材料。
    陽極可包括氧化銦錫或其他已知適宜材料。
    陰極18選自具有容許將電子注入電致發光層中之功函數之材料。其他因素影響陰極之選擇，例如陰極與電致發光材料之間發生有害相互作用之可能性。陰極可由諸如金屬層等單一材料組成。或者，其可包含複數種金屬，例如低功函數材料及高功函數材料(例如鈣及鋁)之雙層，如WO 98/10621中所揭示。陰極可含有鋇元素之層，如WO 98/57381、Appl.Phys.Lett.2002,81(4),634及WO 02/84759中所揭示。陰極可在發光層與一或多個導電(例如金屬)陰極層之間含有金屬化合物(具體而言鹼金屬或鹼土金屬之氧化物或氟化物)之薄層以幫助電子注入，例如如WO 00/48258中所揭示之氟化鋰或如Appl.Phys.Lett.2001,79(5),2001中所揭示之氟化鋇。為將電子有效注入裝置中，陰極較佳具有低於3.5 eV、更佳低於3.2 eV、最佳低於3 eV之功函數。
    如先前所述，陰極可不透明或透明。透明陰極對於主動式矩陣裝置尤其有利，此乃因在該等裝置中穿過透明陽極之發射至少部分地受到位於發射像素下方之驅動電路阻擋。透明陰極將包含電子注入材料層，其足夠薄以透明。通常，此層之橫向導電率將因其較薄而較低。在此情形下，電子注入材料層係與諸如ITO等較厚透明導電材料層組合使用。
    應理解，透明陰極裝置無需具有透明陽極(當然，除非需要全透明裝置)，且用於底部發射裝置之透明陽極因此可經諸如鋁層等反射材料層替代或補充。透明陰極裝置之實例揭示於(例如)GB 2348316中。
    圖1圖解說明藉由首先在基板上形成陽極且之後沈積各層及陰極來形成之裝置，然而應瞭解，本發明裝置可以此架構來提供，但亦可藉由首先在基板上形成陰極且隨後沈積各層及陽極來形成。
    如熟習此項技術者可理解，陰極18可包含任何已知電極材料，例如氟化銀、氟化鋁或氟化鈉。此外，陰極18可包含多層結構以使得其可提供用於特定裝置之最佳功函數。舉例而言，陰極可包含兩個、三個、四個或更多個不同電極材料層。
    在跨裝置10施加電壓時，藍色、綠色及紅色發射體共同發光形成白光。
    本發明亦係關於可用於(例如)顯示器中之綠色發光裝置。該等裝置之構造之實例闡述於下文比較實例中。
    主族金屬錯合物顯示基於配體之發射或電荷傳輸發射。對於該等錯合物而言，發射顏色取決於配體以及金屬之選擇。
    層15及17之主體材料及金屬錯合物可以物理摻合物形式組合。或者，可將金屬錯合物以化學方式結合至主體材料。然而，如熟習此項技術者已知，可採用層與間層之交替佈置。
    可將裝置之層13-17依次沈積至存於基板11上之陽極22(或所結合間層及/或電洞傳輸層(若存在))上。可自溶液進行沈積，例如自溶劑(例如二乙二醇、苯氧基甲苯、苯甲醚、二甲苯、烷基苯或其混合物)進行沈積。尤其適宜之溶劑係甲苯。
    一般而言，本發明聚合物之電致發光層在(例如)用於圖1之裝置中時，一般係10 nm至200 nm厚，更有利地係10 nm至100 nm厚，例如約25 nm至50 nm厚，例如30 nm厚。
    紅色及藍色電致發光層一般將係10 nm至200 nm厚，更有利地係10 nm至100 nm厚，例如25 nm至50 nm厚，例如30 nm厚。
    適宜地，綠色、紅色及藍色層中之每一者可獨立地係20 nm至200 nm厚，更適宜地50 nm至100 nm厚，例如60 nm至80 nm厚，且可尤其適宜地係70±5 nm厚，例如65 nm、66 nm、67 nm、68 nm、69 nm、70 nm、71 nm、72 nm、73 nm、74 nm至75 nm厚。
    製備本發明聚合物之較佳方法係鈴木聚合(Suzuki polymerisation)，如(例如)WO 00/53656中所述；及Yamamoto聚合，如(例如)T.Yamamoto,「Electrically Conducting And Thermally Stable-Conjugated Poly(arylene)s Prepared by Organometallic Processes」,Progress in Polymer Science 1993,17,1153-1205中所述。該等聚合技術皆係經由「金屬插入」來操作，其中將金屬錯合物觸媒中之金屬原子插入單體之芳基與離去基團之間。在Yamamoto聚合之情形下，使用鎳錯合物觸媒；在鈴木聚合之情形下，使用鈀錯合物觸媒。
    舉例而言，在藉由Yamamoto聚合合成直鏈聚合物時，使用具有兩個反應性鹵素基團之單體。類似地，根據鈴木聚合方法，至少一個反應性基團係諸如硼酸或硼酸酯等硼衍生物基團，且另一反應性基團係鹵素。較佳鹵素為氯、溴及碘，最佳為溴。
    因此應理解，如本申請案通篇所述之包含芳基之重複單元及末端基團可衍生自載有適宜離去基團之單體。
    可使用鈴木聚合來製備立體規則性共聚物、嵌段共聚物及無規共聚物。具體而言，在一個反應性基團係鹵素且另一個反應性基團係硼衍生物基團時，可製備均聚物或無規共聚物。或者，在第一單體之兩個反應性基團均為硼且第二單體之兩個反應性基團均為鹵素時，可製備嵌段共聚物或立體規則性共聚物，尤其AB共聚物。
    作為鹵化物之替代物，其他能參與金屬插入之離去基團包括諸如甲苯磺酸根、甲磺酸根及三氟甲磺酸根等基團。
    可自溶液沈積單一聚合物或複數種聚合物以形成層。聚伸芳基、尤其聚茀之適宜溶劑包括單-或聚烷基苯，例如甲苯及二甲苯。尤佳溶液沈積技術係旋塗及噴墨印刷。
    旋塗尤其適用於無需將電致發光材料圖案化之裝置，例如照明應用或簡單單色分段顯示器。
    噴墨印刷尤其適用於高資訊量顯示器，尤其全彩色顯示器。OLED之噴墨印刷闡述於(例如)EP 0 880 303中。
    其他溶液沈積技術包括浸塗、滾筒印刷、噴嘴印刷、狹縫模具式塗佈及絲網印刷。
    若裝置中之多層係藉由溶液處理來形成，則熟習此項技術者應瞭解防止毗鄰各層混雜之技術，例如在沈積後續層之前使一層交聯，或選擇毗鄰層之材料以使得形成該等層中之第一層之材料不溶於用於沈積第二層之溶劑中。
    以下比較實例不在本發明之範圍內，且其闡述僅為幫助闡釋本發明達成之改良。以下實例幫助闡釋本發明且不限制本發明之範圍。 樹枝狀聚合單體之製備反應i
    使用美國專利公開案第2010/0033086 A1號(該案係全文以引用方式併入本文中)中所述之方法來製備以下化合物： 反應ii
    如下所述將化合物(17)轉化為式(18)之化合物：
    將在第一步驟中獲得之材料(130 g,57.4 mmol)存於二氯甲烷(2 L)中之溶液去氧(用N2)1 h。在單獨燒瓶中，在氮氣氛下將三氟甲烷磺酸銀(31.45 g,122.4 mmol)溶於甲醇(180 mL)中且去氧。將三氟甲烷磺酸銀溶液緩慢添加至銥錯合物溶液中且在室溫下避光攪拌18 h。此後，使反應混合物通過矽藻土過濾介質且用二氯甲烷(1 L)洗滌該介質。在減壓下自所得橙色濾液移除揮發性物質，以獲得呈半結晶黃色固體之中間體(156 g,94%)，其不經進一步純化即使用。 反應iii
    如下所述將反應ii之化合物轉化為式(19)、(20)及(21)之化合物：
    將如先前反應中製備之三氟甲烷磺酸銥錯合物(150 g,105.6 mmol)與2-苯基吡啶(36 g,232.3 mmol)存於乙醇(2.5 L)中之混合物去氧(用N2)1 h。將混合物在氮氣氛下避光回流加熱24 h。在冷卻後，藉由真空過濾收集所得沈澱，用少量甲醇洗滌並乾燥(118 g粗固體)。藉由在二氧化矽上進行管柱層析且使用存於己烷中之二氯甲烷(20-30%)溶析來分離配體無序混合物，從而獲得以下呈黃色固體之純淨部分(按溶析順序)：上文式(19)化合物(約10 g)、上文式(20)化合物(62 g)及上文式(21)化合物(約4 g)。未檢測到顯著量之Ir(ppy)3。 反應iv
    如下所述將反應iii之式(20)化合物轉化為式(22)化合物：
    將先前反應之銥錯合物(即第二溶析化合物，34.2 g,25.6 mmol)存於二氯甲烷(700 mL)中之溶液在氮氣氛下冷卻至15℃。在15℃下逐份添加N-溴琥珀醯亞胺(4.57 g,25.6 mmol)且將溶液在暗環境中攪拌過夜。TLC分析確認，所有起始材料皆已消耗。藉由使反應溶液通過二氧化矽塞且用二氯甲烷(700 mL)溶析來移除基於琥珀醯亞胺之雜質。在減壓下移除溶劑以獲得呈黃橙色固體之上文式(22)化合物，將其在真空烘箱中在40℃下乾燥過夜(32 g,88%)。 反應v
    如下所述將反應iii之式(20)化合物轉化為式(23)化合物：
    遵循如上所述反應iv之產物(22)之程序，其始於將反應iii之第二溶析化合物(20)(4.5 g,4.52 mmol)、N-溴琥珀醯亞胺(2.4 g,13.5 mmol)及二氯甲烷(100 mL)反應。在二氧化矽上進行急驟管柱層析後，分離呈黃色固體之期望二溴化合物(23)(3.07 g,59%)。 反應vi
    如下所述將反應iv之化合物(22)轉化為式(24)化合物：
    將反應iv之銥錯合物(32.1 g,22.69 mmol)及雙(戊醯)二硼(6.34 g,24.96 g,1.1當量)置於燒瓶中之氮氣氛下。經由套管插入法添加無水1,4-二噁烷(300 mL)且將溶液去氧(用N2)1 h。將PdCl2(dppf)．CH2Cl2(0.278 g,0.34 mmol)、dppf(0.182 g.0.34 mmol)及乙酸鉀(6.68 g,68.07 mmol,3當量)添加至燒瓶中。使反應混合物另外脫氣30 min且隨後加熱至110℃並保持過夜。使深色混合物冷卻且隨後經由在二氧化矽(12×3 cm)頂部上之Florisil(12×3 cm)頂部上之由矽藻土過濾介質組成之塞(12×1.5 cm)過濾。用二氯甲烷溶析該塞且在減壓下移除溶劑以獲得褐色發泡體(43 g)。將發泡體溶於極少量二氯甲烷：己烷(2：3)中且在二氧化矽上進行管柱層析並首先用二氯甲烷：己烷(2：3)混合物溶析以移除銥錯合物雜質。將溶析溶液混合物之極性增加至二氯甲烷：己烷(4：1)以溶析期望硼酸鹽。合併各餾份且在減壓下濃縮以獲得期望銥錯合物(24)(21.9 g,66%)。 反應vii
    如下所述將反應vi之化合物(24)轉化為式(25)化合物：
    將反應vi之硼酸酯(21.9 g,14.98 mmol)及1,3,5-三溴苯(21.5 g,68.4 mmol)存於甲苯(300 mL)中之溶液去氧(N2)1 h。同時在滴液漏斗中將NEt4OH(20% w/v水溶液，22 mL,29.96 mmol)去氧。將Pd(PPh3)4(0.519 g,0.449 mmol)添加至反應燒瓶中，之後逐滴添加NEt4OH溶液。將反應混合物在90℃及氮氣氛下避光加熱過夜。TLC分析確認，所有起始材料皆已消耗。在冷卻至室溫後，將水(100 mL)添加至深色反應混合物中。分離有機層並用鹽水(3×50 mL)洗滌，經MgSO4乾燥並移除揮發性物質以獲得深色油狀殘餘物。藉由管柱層析(2.5 kg二氧化矽)及用二氯甲烷/己烷之1：3混合物溶析來純化粗材料。合併高純度餾份(>99.5%純度，HPLC)，將其再次溶解於極少量二氯甲烷中並用甲醇沈澱。藉由過濾收集沈澱且在50℃下在真空烘箱中乾燥過夜，以獲得呈鮮黃色固體之期望化合物(25)(16 g,68%)。 反應viii
    藉由在dean-Stark設備中，在回流狀態下，在三氟甲烷磺酸(0.8 ml)存在下，在甲苯(100 ml)中縮合3-溴苯乙酮(100 g,0.503 mol)來製備1,3,5-參(3-溴苯基)-苯。在冷卻至室溫後，藉由過濾分離沈澱，將其溶於二氯甲烷中且使其通過二氧化矽塞並用二氯甲烷溶析。移除揮發性物質且使所得粉紅色固體自熱甲苯(400 ml)重結晶。然後使藉由過濾分離之白色材料自甲苯/己烷(200 ml：400 ml)之混合物重結晶，以獲得呈白色晶體之產物(53 g)。
    基本上如反應v中所述將反應iii之化合物(21)轉化為式(26)化合物：
    所有聚合物皆係使用4.5 mmol二酯單體及4.5 mmol二溴化物單體來製備，且其比率如上文表中所述。標準反應條件如下：將單體準確稱量至配備有頂置式攪拌器、回流冷凝器及二氮入口/出口之燒瓶中。添加甲苯(100 ml)且藉由使二氮氣體鼓泡通過溶液將反應混合物充分去氧。同時藉由使二氮氣體鼓泡通過溶液來將15 ml四乙基氫氧化銨存於水中之20%溶液去氧。
    將反應混合物加熱至40℃，之後添加Pd(OAc)2(3 mg)及參(2甲氧基苯基)膦(19 mg)(存於脫氣甲苯中)且隨後逐滴添加四乙基氫氧化銨之去氧溶液。使反應溫度升高至115℃且將反應攪拌器速率維持在350 rpm。在20 h後，將反應混合物冷卻至50℃且添加苯基硼酸頻那醇酯(0.092 g,0.45 mmol)存於甲苯(50 mL)中之去氧溶液，之後添加存於脫氣甲苯中之Pd(OAc)2(3 mg)及參(2甲氧基苯基)膦(19 mg)。然後將反應混合物加熱至115℃並保持14小時，然後使其冷卻至室溫。
    藉由相同程序製備含有(33)之聚合物，但反應係在105℃下進行且攪拌器速率為500 rpm。
    然後將反應混合物加熱至65℃且添加二乙基二硫代胺基甲酸鈉(2.5 g,11.1 mmol)存於蒸餾水(50 mL)中之溶液並將聚合物溶液在65℃下攪拌2 h。
    在冷卻至室溫後，分離有機層且依序用2 M HCl(aq)(2×50 mL)、10% w/v NaOAc(aq)(2×50 mL)及蒸餾水(5×50 mL)洗滌。棄去所有水性餾份。將粗聚合物溶液(約150 mL)在攪拌下逐滴添加至MeOH(1.5 L)中。藉由過濾收集聚合物沈澱，使其再次溶於甲苯(200 mL)中並通過矽藻土塞。在濃縮至約(150-200 mL)後，將溶液再次在攪拌下逐滴添加至MeOH(2 L)中。藉由過濾收集沈澱，使其再次溶於甲苯(150 mL)中且通過凹槽形濾紙。最終將聚合物溶液逐滴添加至MeOH(1.5 L)之攪拌溶液中。藉由過濾收集聚合物且在真空烘箱中在40℃下乾燥過夜。 單體(39)之製備
    單體39係根據以下反應方案來製備：
    階段1：將1-溴-4-(甲基甲矽烷基)苯(96.26 g,420.0 mmol)置於烘箱乾燥之3 L 3頸圓底燒瓶中，該燒瓶配備有安裝有N2入口/出口之回流冷凝器、滴液漏斗及安裝有Teflon葉片之頂置式攪拌器。
    經由套管將無水THF(1 L)添加至燒瓶中且使用乾冰丙酮浴將溶液冷卻至-78℃。
    經4 h時間將第二丁基鋰(存於環己烷中之1.4 M溶液，600 mL,840.0 mmol)逐滴添加至溶液中。在-78℃下將反應物再攪拌1 h。在-78℃下經30 min時間逐滴添加1-氯-6-溴己烷(100 g,501.2 mmol)。使反應物升溫至室溫且攪拌過夜。
    在0℃下藉由逐滴添加MeOH(50 mL)小心地終止反應。在減壓下移除揮發性物質且使粗混合物再次溶解於甲苯中。用水(3×100 mL份)洗滌有機混合物以移除鋰鹽且經無水MgSO4乾燥。在減壓下過濾並濃縮，獲得呈黃色油之階段1產物(100 g,88%)，其不經任何進一步純化即用於下一步驟中。
    階段2：將階段1中獲得之材料(100 g,371.9 mmol)置於烘箱乾燥之5 L 3頸圓底燒瓶中，該燒瓶配備有安裝有Teflon漿片之頂置式攪拌器、安裝有N2入口/出口之回流冷凝器及滴液漏斗。將無水CH2Cl2(1 L)及無水Et2O(111 mL)添加至燒瓶中且用乾冰丙酮浴將溶液冷卻至-60℃。
    藉由套管將一氯化碘(存於CH2Cl2中之1 M溶液，390 mL,390 mmol)添加至滴液漏斗且隨後逐滴添加至溶液中。使反應物升溫至室溫且攪拌過夜。
    在第二天早晨進行之GCMS分析顯示，反應尚未完成。將燒瓶冷卻至0℃且另外添加一氯化碘(10 mL)。將反應物攪拌過夜。
    藉由逐滴添加NaOH水溶液(2 M,600 mL)來終止反應。小心攪動混合物，從而使反應混合物自紅色變為黃色。分離有機層且經無水MgSO4乾燥。在減壓下過濾並濃縮，獲得呈油之階段2產物。產率(94 g,70%)。該材料不經任何進一步純化即用於下一步驟中。
    階段3：將階段2產物(135 g,418.5 mmol)及2-異丙氧基-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二噁硼烷(108.9 g,585.3 mmol)置於烘箱乾燥之5 L 3頸圓底燒瓶中，該燒瓶配備有回流冷凝器及N2入口/出口、安裝有Teflon葉片之頂置式攪拌器及500 mL壓力均衡滴液漏斗。
    經由套管將無水THF(500 mL)添加至燒瓶中。使用乾冰丙酮浴將反應燒瓶冷卻至-78℃。
    經由套管將第二丁基鋰(存於環己烷中之1.4 M溶液，600 mL,840.0 mmol)添加至滴液漏斗且隨後經3.5 h時間將其逐滴添加至反應溶液中。將乾冰丙酮浴之溫度維持在-78℃。
    使反應升溫至室溫並保持過夜，且隨後在0℃下藉由逐滴添加MeOH(100 mL)小心地終止反應。
    在減壓下濃縮獲得呈黃橙色油之產物。將階段3粗產物再次溶解於甲苯(500 mL)中且用NaCl之飽和水溶液(3×200 mL)洗滌。使產物通過二氧化矽塞且用己烷存於CH2Cl2中之混合物(4：1)溶析。產率(67.5 g,50%)。該材料不經任何進一步純化即用於下一階段中。
    階段4：將2-溴吡啶(26.13 g,165.5 mmol)及階段3產物(53.4 g,165.5 mmol)置於烘箱乾燥之2 L 3頸圓底燒瓶中，該燒瓶配備有安裝有N2入口/出口之回流冷凝器及安裝有Teflon葉片之頂置式攪拌器。
    將甲苯(500 mL)添加至燒瓶中且用N2將溶液充分脫氣1 h。同時用N2使[NEt4]2CO3之33% w/v水溶液(125 mL,387.8 mmol)脫氣。
    將[(Ph3P)4Pd](3.81 g,3.30 mmol)添加至反應燒瓶中，隨後添加[NEt4]2CO3之脫氣溶液。將反應物回流加熱22 h。
    在冷卻後，移除水性層且使甲苯溶液通過二氧化矽塞並用甲苯/EtOAc(4：1,5 L)溶析。在減壓下濃縮濾液以獲得黏稠油(45 g)。
    以3×15 g批次藉由自動管柱層析(Isolera SNAP 340 g柱)及用EtOAc存於己烷中之混合物(1：10)溶析來純化粗產物。分離呈淡黃色油之階段4產物(26.69 g,59%)。藉由Finkelstein鹵化物交換反應(存於丙酮中之NaI)將階段4氯化物(23.20 g,84.73 mmol)轉化為階段4碘化物。(產率27 g,87%)。
    階段5：將2,7-二溴-9-(3-己基苯基)茀(31.51 g,65.06 mmol)置於烘箱乾燥之1 L 3頸圓底燒瓶中，該燒瓶配備有安裝有N2入口/出口之回流冷凝器、250 mL滴液漏斗及安裝有Teflon葉片之頂置式攪拌器。用N2沖洗燒瓶。
    經由套管穿過安裝至滴液漏斗之間隔件添加無水THF(400 mL)。移除滴液漏斗且藉由間隔件來替代。將溶液充分脫氣1 h。同時，將階段4產物(26.14 g)之溶液置於250 mL燒瓶中並用間隔件密封。小心地用N2沖洗燒瓶。經由套管將無水THF(100 mL)添加至燒瓶且用N2將所得溶液充分脫氣1 h。
    將冰浴置於1 L圓底燒瓶周圍並使溶液冷卻至0℃。在N2下將KOtBu(8.03 g,71.6 mmol)逐份添加至2,7-二溴-9-(3-己基苯基)茀溶液中。將所得紅色溶液另外攪拌5 min且用N2繼續脫氣。
    將階段4產物之溶液在攪拌下逐滴添加(經由注射器添加約20 mL)至該紅色溶液中。在添加時，紅色溶液變為橙色。將橙色溶液另外脫氣1 h。移除冰浴，停止脫氣，且使橙色溶液升溫至室溫並靜置過夜。
    GCMS分析顯示，反應已完成。經由冰浴使反應燒瓶冷卻至0℃且逐份添加水(400 mL)以終止反應。用CH2Cl2(3×400 mL)萃取水溶液。合併有機部分且經無水MgSO4乾燥。過濾混合物且在減壓下濃縮以獲得呈黏稠紅色油之階段5粗產物。
    分兩個批次經由自動管柱層析[2×340 g Isolera SNAP柱]及用CH2Cl2存於己烷中之梯度(1：3)溶析來純化紅色油。收集每一管柱之主帶。合併兩個管柱之產物且如上文再次進行管柱層析。合併相同餾份(TLC分析)且在減壓下濃縮以獲得呈無色黏稠油之階段5產物(37 g,79%)。
    單體(39)：如文獻中所報導製備銥前體[Ir(ppy)2Cl]2 1及[Ir(ppy)2(MeOH)2]OTf2。
    [1] Sprouse, S.; King, K. A.; Spellane, P. J.; Watts, R. J. J. Am. Chem. Soc. 1984, 106, 6647-6653。
    [2] Schmid, B.; Garces, F. O.; Watts, R. J. Inorg. Chem. 1994, 33, 9-14。
    將階段5產物(35.00 g,48.5 mmol)置於2 L 3頸圓底燒瓶中，該燒瓶配備有安裝有N2入口/出口之回流冷凝器及安裝有Teflon葉片之頂置式攪拌器。將無水EtOH(1 L)添加至燒瓶中且用攪拌將溶液充分脫氣1 h。將[Ir(ppy)2(MeOH)2]OTf(17.30 g,24.2 mmol)添加至溶液中且將混合物另外脫氣10 min。然後將混合物回流加熱22 h。在使反應物冷卻至室溫後，在減壓下移除揮發性物質以獲得呈黃色/橙色固體之銥錯合物之粗配體無序混合物。
    經由自動管柱層析來純化單體(39)。
    首先，藉由用CH2Cl2存於己烷中之梯度溶析[Isolera SNAP 340 g柱]自銥錯合物之配體無序混合物移除過量階段5產物。
    藉由用存於甲苯中之己烷(1：3)溶析[Isolera SNAP 750 g柱]將單體(39)自銥錯合物之配體無序混合物分離。在TLC分析後，合併相同餾份且在減壓下濃縮以獲得呈黃色固體之單體(39)(8.65 g,29%)。
    藉由製備型HPLC(1 g存於約2.5 L MeCN中)純化單體(39)。

    上表中之單體編號係指以下化合物：





    比較實例比較實例1
    自50莫耳%化合物(28)、40莫耳%化合物(36)及10莫耳%化合物(30)製備聚合物，其中摻和入如反應iii中製備之化合物(21)。所得摻合物含有7.8莫耳%之Ir錯合物及92.2莫耳%係聚合物主鏈單元。
    提供兩個發光裝置，其每一者依序包含：(a)玻璃基板，上面具有ITO陽極；(b)30 nm旋塗PEDOT電洞注入層；(c)間層，其係由藉由50莫耳%化合物(28)、42.5莫耳%化合物(31)及7.5莫耳%化合物(32)之鈴木聚合形成之旋塗聚合物組成，其中在沈積後交聯該間層；(d)70 nm厚旋塗電致發光層，其在第一裝置中係上述比較聚合物：Ir錯合物摻合物，且第二裝置中之電致發光層係上文實例10之聚合物；及(e)陰極，其係由100 nm厚Ag層及200 nm厚Al層組成。
    圖2顯示，在相同電壓下，經過本發明單一組份綠色聚合物之電洞流(實線)大於摻合物(虛線)，從而表明銥樹枝狀聚合物在附接至鏈時比在與主體聚合物摻和在一起時更有效地傳輸電洞。 比較實例2
    較佳優化正(電洞)電荷載子與負(電子)電荷載子之平衡。
    提供三個發光裝置，其各自依序包含：(a)玻璃基板，其上具有ITO陽極；(b)50 nm旋塗PEDOT電洞注入層；(c)22 nm厚間層，其係由藉由50莫耳%(34)、30莫耳%化合物(31)、12.5莫耳%化合物(37)及7.5莫耳%化合物(35)之鈴木聚合形成之旋塗聚合物組成，其中在沈積後交聯該聚合物；(d)74-76 nm厚旋塗電致發光層，其係比較實例1之摻合物或實例12之聚合物或實例10之聚合物；及(e)NaF/Ag/Al陰極。表2中顯示之數據係在1000 cd/m2下量測，且其中T70係裝置在恆定電流下降低至其初始亮度之70%所耗時間。數據表明，本發明聚合物可提供與使用顯著較低量之Ir之摻合物至少相當之性能。在此實例中，使Ir減少40%。
    比較實例3
    製備與實例7極為類似之聚合物，但用式(23)之樹枝狀聚合物(鏈內)取代式(25)之樹枝狀聚合物(懸垂)。
    使用包含50%(28)、42.5%(31)、7.5%(32)之聚合物之第一層及此比較實例之聚合物或實例7之聚合物之第二層製備發光裝置。人們發現，包含本發明聚合物之裝置之壽命比比較實例長約40%。
    提供發光裝置，其各自依序包含：(a)玻璃基板，其上具有ITO陽極；(b)48 nm旋塗PEDOT電洞注入層；(c)23 nm厚間層，其係由由50莫耳%(34)、42.5莫耳%化合物(31)及7.5莫耳%化合物(35)組成之旋塗聚合物組成；(d)67-74 nm厚旋塗電致發光層，其係實例7之聚合物，或用式(23)之樹枝狀聚合物取代式(25)之樹枝狀聚合物之實例7聚合物；及(e)NaF/Ag/Al陰極。表3中顯示之數據係在1000 cd/m2下量測，且顯示本發明聚合物與樹枝狀聚合物在鏈內之聚合物相比壽命有所延長。
    白色發射裝置實例
    在玻璃基板上形成具有以下結構之有機發光裝置：ITO/HIL(50 nm)/HTL(21 nm)/ELG(31 nm)/ELR(10 nm)/ELB(49 nm)/陰極
    其中ITO係氧化銦錫陽極；HIL係可自Plextronics公司獲得之電洞注入材料層，HTL係電洞傳輸層；ELG係包括綠色磷光發光材料之發光層；ELR係紅色磷光發光層；ELB係藍色螢光發光層；且陰極係包含金屬氟化物、鋁及銀之三層之陰極。
    HIL、HTL、ELG、ELR及ELB各自係藉由旋塗包含該層之組份及溶劑之溶液以及蒸發溶劑來形成。HTL、ELG及ELR包含可交聯基團，可在旋塗上覆層之前使該等基團交聯。
    HTL係藉由旋塗藉由以下單體之鈴木聚合形成之電洞傳輸聚合物1來形成，如WO 00/53656中所述：
    ELG係藉由旋塗藉由單體及紅色磷光封端單元按以下莫耳百分比之鈴木聚合形成之聚合物來形成，如WO 00/53656中所述：
    ELG包括綠色磷光重複單元及紅色磷光封端基團二者。
    ELR係藉由旋塗藉由單體及紅色磷光封端單元按以下莫耳百分比之鈴木聚合形成之紅色聚合物1來形成，如WO 00/53656中所述：
    ELB係藉由旋塗藉由單體按以下莫耳百分比之鈴木聚合形成之藍色聚合物1來形成，如WO 00/53656中所述：
    儘管已根據具體實例性實施例闡述本發明，但應理解，熟習此項技術者可瞭解本文所揭示特徵之各種修改、改變及/或組合，其不背離如以下申請專利範圍中所述之本發明範圍。
    10‧‧‧多層電致發光裝置
    11‧‧‧基板
    12‧‧‧陽極
    13‧‧‧第一發光聚合物層
    14‧‧‧可選障壁層
    15‧‧‧第二發光聚合物層
    16‧‧‧可選障壁層
    17‧‧‧第三發光聚合物層
    18‧‧‧陰極
    圖1圖解說明本發明實施例之OLED；且圖2係本發明實施例之裝置及比較裝置之電流密度對電壓之圖。
    10‧‧‧多層電致發光裝置
    11‧‧‧基板
    12‧‧‧陽極
    13‧‧‧第一發光聚合物層
    14‧‧‧可選障壁層
    15‧‧‧第二發光聚合物層
    16‧‧‧可選障壁層
    17‧‧‧第三發光聚合物層
    18‧‧‧陰極
    权利要求:
    Claims (64)
    [1] 一種聚合物，其包含單元α、β、γ及δ，其中：單元α係以30莫耳%至60莫耳%存在且係視情況經取代之伸芳基；單元β係以1莫耳%至30莫耳%存在且係包含視情況經取代之茀之單元；單元γ係以1莫耳%至40莫耳%存在且包含經芳基取代之氮或視情況經取代之三；單元δ係以0.5莫耳%至15莫耳%存在且包含銥錯合物；及若α、β、γ及δ之和小於100莫耳%，視情況最多20莫耳%之其他單元。
    [2] 如請求項1之聚合物，其中該視情況經取代之伸芳基係視情況經取代之1,4-伸苯基。
    [3] 如請求項2之聚合物，其中該視情況經取代之1,4-伸芳基係2,5-二烷基-1,4-二伸苯基，其中該烷基具有1至12個碳原子、視情況6至12個碳原子。
    [4] 如請求項3之聚合物，其中該視情況經取代之2,5-二烷基-1,4-二伸苯基係2,5-二己基-1,4-二伸苯基。
    [5] 如請求項1至4中任一項之聚合物，其僅含有一種類型之單元α。
    [6] 如請求項1至5中任一項之聚合物，其包含35莫耳%至55莫耳%之單元α。
    [7] 如請求項1至5中任一項之聚合物，其包含45莫耳%至55莫耳%之單元α。
    [8] 如請求項1至7中任一項之聚合物，其包含50莫耳%之單元α。
    [9] 如請求項1至8中任一項之聚合物，其中該單元β具有下式： 其中R1及R2獨立地係烷基、烯基、烷芳基、芳烷基、芳基、視情況具有最多20個碳原子之經取代芳基、或經取代芳烷基，其中該芳烷基或芳基上之取代基係一個低碳烷基或兩個視情況連接以形成4至6個碳原子之環之低碳烷基；且其中q係0或1且Q經由下式之基團中之氮原子附接至該茀： 其中Ar1係視情況經一個或兩個低碳烷基或低碳烷氧基取代之伸苯基，且Ar2係視情況經一個或兩個低碳烷基或低碳烷氧基取代之苯基。
    [10] 如請求項9之聚合物，其中R1與R2相同。
    [11] 如請求項9或10之聚合物，其中R1及R2係具有最多20個碳原子之烷基。
    [12] 如請求項11之聚合物，其中該等烷基具有1至12個碳原子、視情況6至12個碳原子。
    [13] 如請求項11之聚合物，其中該等烷基係辛基。
    [14] 如請求項9或10之聚合物，其中R1及R2係具有最多20個碳原子之烯基。
    [15] 如請求項14之聚合物，其中該烯基具有3至8個碳原子。
    [16] 如請求項15之聚合物，其中該烯基係戊烯基。
    [17] 如請求項9或10之聚合物，其中R1及R2中之至少一者係可未經取代或經一個或兩個低碳烷基取代之苯基，該等低碳烷基可未稠合或經稠合形成4至6個碳原子之碳環。
    [18] 如請求項17之聚合物，其中R1及R2係3,4-環丁基苯基、2-己基苯基或4-己基苯基。
    [19] 如請求項9至18中任一項之聚合物，其中q係1。
    [20] 如請求項9至19中任一項之聚合物，其中Ar1係伸苯基。
    [21] 如請求項20之聚合物，其中該伸苯基係1,4-伸苯基。
    [22] 如請求項9至21中任一項之聚合物，其中Ar2係視情況經低碳烷基取代之苯基。
    [23] 如請求項9至22中任一項之聚合物，其中Ar2係4-甲基苯基。
    [24] 如請求項9至18中任一項之聚合物，其中q係0。
    [25] 如請求項9至24中任一項之聚合物，其包含一種以上類型之β單元。
    [26] 如請求項9至24中任一項之聚合物，其包含至少一種類型之q係0的β單元及至少一種類型之q係1的β單元。
    [27] 如請求項9至26中任一項之聚合物，其中該β單元包含選自具有下式之基團之基團：
    [28] 如請求項1至27中任一項之聚合物，其包含10莫耳%至30莫耳%之單元β。
    [29] 如請求項28之聚合物，其包含15莫耳%至25莫耳%之單元β。
    [30] 如請求項1至29中任一項之聚合物，其中單元γ經由兩個伸芳基中之每一者連接至該聚合物中。
    [31] 如請求項30之聚合物，其中該兩個伸芳基係1,4-伸苯基。
    [32] 如請求項1至31中任一項之聚合物，其中單元γ包含經芳基取代之氮，且其中由該氮原子所載之該芳基係視情況經具有1至20個碳原子之烷基取代之苯基。
    [33] 如請求項1至31中任一項之聚合物，其中單元γ包含經芳基取代之氮，且其中由該氮原子所載之該芳基係視情況經兩個具有1至10個碳原子之烷基取代之苯基，該等烷基可視情況連接以形成4至6員稠合碳環。
    [34] 如請求項1至31中任一項之聚合物，其中單元γ包含經苯基取代之三，且其中該苯基視情況經具有1至20個碳原子之烷基取代。
    [35] 如請求項1至31中任一項之聚合物，其中單元γ包含經苯基取代之三，且其中該苯基經兩個具有1至10個碳原子之烷基取代，該等烷基可視情況連接以形成4至6員稠合碳環。
    [36] 如請求項33或35之聚合物，其中苯基經丁-2-基、己基或稠合3,4-丁烯基取代。
    [37] 如請求項1至36中任一項之聚合物，其中該γ單元包含選自具有下式之基團之基團： 其中R係烷基、較佳C1-C12烷基。
    [38] 如請求項1至37中任一項之聚合物，其中單元γ包含三取代三重複單元及三芳基胺重複單元。
    [39] 如請求項1至38中任一項之聚合物，其包含10%至30%之單元γ。
    [40] 如請求項39之聚合物，其包含15莫耳%至25莫耳%之單元γ。
    [41] 如請求項1至40中任一項之聚合物，其中單元δ包含三個苯基吡啶基配體、視情況三個結合至銥III之苯基吡啶基樹枝狀基團(dendron)。
    [42] 如請求項41之聚合物，其中該等苯基吡啶基配體中之一者、兩者或三者之該苯基經一個或兩個苯基或聯苯基取代。
    [43] 如請求項41之聚合物，其中該一個或兩個苯基或聯苯基經具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基取代。
    [44] 如請求項43之聚合物，其中該一個或兩個苯基或聯苯基經具有2至6個碳原子之烷基取代。
    [45] 如請求項44之聚合物，其中該烷基係第三丁基。
    [46] 如請求項1至45中任一項之聚合物，其中該銥錯合物係包含至少一個樹枝狀基團之樹枝狀聚合物。
    [47] 如請求項46之聚合物，其中該樹枝狀聚合物經由同一樹枝狀基團上之兩個點連接至該聚合物。
    [48] 如請求項47之聚合物，其中該樹枝狀聚合物具有下式： 其中R係C1-20烷基、視情況第三丁基。
    [49] 如請求項1至46中任一項之聚合物，其中單元δ係與該銥錯合物結合之伸芳基重複單元。
    [50] 如請求項49之聚合物，其中該單元δ係與該銥錯合物結合之視情況經取代之伸苯基或茀重複單元。
    [51] 如請求項49或50之聚合物，其中該銥錯合物直接結合至該伸芳基重複單元或藉由鏈、視情況烷基鏈連接至該伸芳基重複單元。
    [52] 如請求項49至51中任一項之聚合物，其中單元δ具有下式： 其中R係第三丁基。
    [53] 如請求項49至51中任一項之聚合物，其中單元δ具有下式中之一者： 其中R係第三丁基。
    [54] 如請求項1至43中任一項之聚合物，其包含2莫耳%至6莫耳%之單元δ。
    [55] 如任一前述請求項之聚合物，其中若α、β、γ及δ之和小於100莫耳%，則該聚合物包含最多10莫耳%之其他單元。
    [56] 一種製備如請求項1至55中任一項之聚合物之方法，其包含單元單體藉由鈴木聚合(Suzuki polymerization)一起進行之反應。
    [57] 如請求項56之方法，其中該等單元單體包含硼酯及溴化合物二者。
    [58] 如請求項56或57之方法，其係在惰性溶劑中實施。
    [59] 如請求項58之方法，其係在升高溫度下實施。
    [60] 如請求項58或59之方法，其中該溶劑係單-或二低碳烷基苯。
    [61] 如請求項60之方法，其中該溶劑係甲苯。
    [62] 一種白色發光裝置，其包含如請求項1至56中任一項之聚合物及藍色電致發光材料及紅色電致發光材料。
    [63] 如請求項62之裝置，其中如請求項1至55之聚合物、該藍色電致發光材料及該紅色電致發光材料位於三個不同電致發光層中。
    [64] 一種綠色發光裝置，其包含如請求項1至55中任一項之聚合物。
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